华为P40系列国行版4月8日登场

华为P40系列将于3月26日正式发布，这是华为今年举行的首场旗舰发布会。据媒体报道，P40系列全球发布会结束后，华为将在4月8日举办一场国行发布会，届时会公布国行版价格。

从网上曝光的信息来看，P40系列包含P40、P40 Pro和P40 Pro Plus三款。

其中P40采用直屏，P40 Pro、P40 Pro Plus采用OLED四曲面屏幕，屏幕尺寸为6.7英寸，刷新率为120Hz。

核心配置上，P40系列将搭载麒麟990 5G SOC，最高或将配备12GB内存+512GB存储，支持40W超级快充。

作为P系列的最强旗舰，影像是该机的一大看点。报道称P40、P40 Pro和P40 Pro Plus三款将分别后置三摄、四摄和五摄相机模组。

其中P40 Pro Plus拥有迄今为止华为最强大的影像系统，它搭载5200万像素RYYB超感光主摄+4000万像素电影镜头组成的双主摄，同时配备了一颗2000万双棱镜潜望式长焦镜头（支持高达10倍光学变焦），一颗800万常规长焦镜头以及一颗TOF镜头。

值得注意的是，P40系列有望搭载完整的HMS，这将是华为首款拥有完整HMS、面向欧洲市场的高端旗舰。iOS 14新功能曝光

从目前相继曝光的情况看，iOS 14会带来不少细节上的完善，而苹果的出发点也是如此。据外媒最新报道称，iOS 14 中的“查找”App 将增加全新的AR模式以及基于地点的提醒，这对于那些爱遗忘设备的果粉来说，无疑是个更加贴切的消息。

据悉，iOS 14 将为“查找”App增加全新高级提醒功能。当某人在约定时间没有到达某个特定的位置是，查找App会提醒。目前，查找App只能在某人到达某个特定位置时提醒。没有到达提醒功能对于家长查看孩子位置时，比较实用。

此外，当某人离开某地时，也可以设置提醒，同样可以方便家长接孩子，其还支持AR模式，用户可以在AR模式下获得准确的位置

根据iOS 14代码，未来iOS地图App将显示更多Apple Store信息。目前，在地图App中查看Apple Store，只能显示地址、电话、照片和Today at Apple活动。在iOS 14中，地图App可以查看Apple Store天才吧服务情况，比如可以查询某家Apple Store天才吧是否可以更换屏幕或电池等。

据悉，苹果正在开发全新的iOS主屏，具体来说就是在iOS 14中新增页面，允许用户通过列表查看自己的应用。目前，我们只能通过图标，也就是网格方式查看iOS应用，或者通过搜索。全新的列表模式会显示所有应用的图标，名称等信息。AMD会同一天发布Zen 3和RDNA 2

在今年的财务分析日上，AMD公布了他们的Zen 3架构CPU与RDNA 2架构显卡，他们最终将成为代号Vermeer的Ryzen 4000系列处理器和Navi 2x核心的Radeon RX显卡，预计它们会在今年10月份推出。

根据wccftech的消息，这些Ryzen 4000处理器和新的Radeon RX显卡显卡会在上市前的某个时间点开发布会，预计可能8月份或者9月份，CPU和GPU会同时发布。AMD希望在同一天同时发布两个高阶的CPU和GPU，以便曝光其下一代产品的性能。

目前对于AMD的新CPU和GPU架构所知并不多，Zen 3依然会使用台积电7nm工艺，至于用n7+还是n7p目前还没有定论，CCX可能从一组4个核心增加到一组8个，L3缓存也从两块独立的16MB糅合成一块32MB的。

RDNA 2的改进点有三个：提高每瓦效能；加入光线追踪支持；加入可变速率着色支持。预计，相对于RDNA，RDNA 2架构将会继续提升50%的每瓦效能。三星挖孔新机曝光

三星M系列是三星Galaxy产品线中的中低端系列，该系列最新产品Galaxy M51的渲染图于近日曝光，预示着M系列下一款新机可能即将来临。

从渲染图上看，Galaxy M51正面搭载了一块流行的挖孔全面屏，挖孔位于机身左上角，背部则是矩形三摄，外加背部指纹识别，有3.5mm耳机孔，Type-C接口，而且看起来像是塑料机身。

规格上，Galaxy M51可能会搭载骁龙730处理器，内置6GB内存，128GB存储，屏幕大小6.3英寸，FHD+分辨率，背部相机为4800万像素+800万像素+500万像素三摄，前置为1600万像素单摄。

此外还有4000mAh电池，SD卡扩展，双卡双待等功能。

当然，三星尚未公布Galaxy M51的任何细节，所以上述参数有可能会发生变化，总的来说，Galaxy M51应该是一款标准的中低端机型，售价大致会在2000元左右。中芯国际年底量产7nm工艺？官方道出真相

日前，中芯国际联席CEO梁孟松博士首次公开了中芯国际N+1、N+2代工艺的情况，透露N+1工艺相比于14nm性能提升20％、功耗降低57％、逻辑面积缩小63％，SoC面积缩小55％，之后的N+2工艺性能和成本都更高一些。

业界普遍认为，中芯国际N+1工艺相当于台积电第一代7nm工艺，N+2则相当于台积电7nm+，重点在提升性能，年底即可量产。

今天，中芯国际相关人士详细解释了N+1工艺，也澄清了一些误会。

首先需要强调的是，N+1是中芯国际的内部代号，并不等于7nm。

据介绍，中芯国际N+1工艺在去年第四季度完成流片，目前正处于客户产品验证阶段，预计第四季度有限量产。

与市场上的7nm相比，中芯国际N+1在功耗、稳定性方面非常相似，唯一的区别就是性能，N+1的性能比14nm提高了约20％，但市场基准提升幅度是35％，所以有差距，但这也是唯一的差距。

如果是从功耗、稳定性方面而言，可以将中芯国际N+1称为7nm，而在性能方面确实要比7nm差。

中芯国际对N+1的目标是低成本应用，可以将成本相对市场上的7nm减少大约10％，因此是一个非常特殊的工艺节点。

从中芯国际的表态看，N+1更类似于台积电、三星的10nm，或者有点像三星的8nm，因为20％的性能提升幅度远低于台积电预计的30％、实际的35％。

至于N+2工艺，与市场7nm更为接近，尤其是稳定性，但是性能仍然略逊一筹。

另外随着台积电、三星陆续导入EUV极紫外光刻，中芯国际也在加速推进，但是梁孟松曾明确表示，中芯国际无需EUV就能达成7nm，当然后续的5nm、3nm是必须要有EUV的。