西部数据、铠侠联合宣布了下一代3D NAND闪存的一些技术细节,这次堆叠到了218层。
新闪存包含四个平面(plane),应用了先进的 晶圆键合(wafer bonding)、横向收缩(lateral shrink)技术 ,并在横向收缩、纵向收缩方面取得平衡, 存储密度比上代提升超过50%,达到了1Tb(128GB)。
值得一提的是, 西数、铠侠开发了新的CBA技术,也就是将CMOS直接键合在阵列之上(CMOS directly Bonded to Array),每个CMOS晶圆、单元阵列晶圆都使用最适合的技术工艺独立制造,再键合到一起,从而大大提升存储密度、I/O速度。
是的没错,妥妥的长江存储晶栈Xtacing 3.0技术的既视感。