7月3日消息,近日的VLSI 2023技术与电路研讨会上,西安紫光国芯公开发表技术论文《 基于小间距混合键合和mini-TSV的135 GBps/Gbit 0.66 pJ/bit嵌入式多层阵列DRAM 》,展示了西安紫光国芯在SeDRAM方向的最新突破。
本年度的VLSI会议共收到全球投稿632篇,最终录取212篇, 只有2篇来自中国内地企业,其中1篇就是西安紫光国芯的贡献的。
西安紫光国芯的新一代多层阵列SeDRAM,相较于上一代单层阵列结构,主要采用了 低温混合键合技术(Hybrid Bonding)、微型硅穿孔(mini-TSV)堆积技术。
这种内存的每Gbit(十亿比特)由2048个数据接口组成,每个接口的数据速度都达到541Mbps,最终实现了业界领先的135 GBps/Gbit带宽、0.66 pJ/bit能效 ,基于此实现了逻辑单元和DRAM阵列三维集成。