追上并超过三星了？国产128层QLC闪存发布，刷新三项业界之最
众所周知，2018年中国进口芯片3120多亿美元，其中存储类的芯片占了39%左右，达到1230亿美元左右，而这1200多亿美元的存储芯片中，95%以上的是DRAM芯片和NAND芯片。
DRAM芯片是什么，就是指电脑、手机的内存条，也称之为运行内存，而NAND芯片是指手机上的存储空间，而电脑上的SSD也是NAND闪存做出来的。
而为了解决国产内存短缺的问题，国内之前有三大内存基地的，分别是长江存储、合肥长鑫、福建晋华，后来福建晋华因为美国的制裁，目前基本处于停滞状态了。
而长江存储主攻NAND闪存，而合肥长鑫主攻DRAM内存，目前进展都是非常顺利的，其中长鑫的DDR4内存去年就量产了，长江存储去年也量产了64层堆叠的NAND闪存，并用于很多的SSD产品之中。
但实话实说，虽然国产内存进展顺利，但和国际主流水平还是有差距的，比如DRAM内存方面，现在DDR5内存都来了，长鑫还是DDR4，DDR5内存估计得1-2年后去了。
而三星的NAND闪存已经是128层堆叠了，而长江存储还是64层堆叠，之后还有96层堆叠，看起来似乎相差两代。
不过近日传出一个好消息，那就长江存储成功实现了跳级，跳过了96层堆叠技术，直接进入到了128层堆叠技术，4月13日，长江存储科技有限责任公司宣布其128层QLC 3D NAND闪存（型号：X2-6070）研发成功。
不仅如此，这款产品刷新了三项世界之最，那就是X2-6070拥有目前业界已知最大单位面积存储密度、最高I/O传输速度以及最高单颗NAND存储芯片容量，真正追上甚至超过内存霸主三星了。
这代表着中国内存产品真正的进入到了世界第一梯队，不再是那个跟在后面慢慢近的小弟弟了，这是具有标志性意义的，甚至大一点来讲，这标志着着中国打破了美日韩在闪存市场上的定价权，因为我们自己也有了。