一种增材制造工艺制备金刚石铜基复合材料的方法与流程
本发明涉及一种制备金刚石铜基复合材料的方法。
背景技术：
当今电气设备朝着小型化、集成化方向高速发展，电气设备的功率密度也必然随之增。如何对电气设备进行有效的热管理已经是如今的一项研究热点。通常研究的方向分为两类：一是寻找高效率热管理材料，如金属(铝、铜等)、金刚石增强导热金属基复合材料；二是通过优化散热结构，通过数值模拟找到最佳散热结构，从而提高散热效率，同时由于增材制造领域的高速发展，针对特殊的散热结构可以直接通过增材制造技术直接成形。
金刚石增强金属基复合材料以铜基复合材料导热性能较优。金刚石增强铜基复合材料凭借基体良好的导热性能与金刚石的高导热的加持下，其导热率可以获得极大的提升。现有较为成熟的工艺，如sps、高压辅助熔渗等，可以获得高热导率、高致密度的金刚石铜基复合材料，然而其工艺适应性较差，无法成型复杂形状，仅仅可以获得片材、块体等形状简单的零件。同时又由于较高的金刚石掺杂量，无法通过后期加工的方式对材料进一步加工。这使得制备高热导率、高致密度且形状复杂的金刚石铜基复合材料几乎成为无法实现的难题。这也是目前限制复合材料应用的最大障碍。
技术实现要素：
本发明要解决现有技术无法制备高热导率、高致密度且形状复杂的金刚石铜基复合材料的问题，而提供一种增材制造工艺制备金刚石铜基复合材料的方法。
一种增材制造工艺制备金刚石铜基复合材料的方法，它是按照以下步骤进行的：
一、制备镀覆后的金刚石粉末：
通过镀覆工艺在金刚石粉末表面镀覆复合镀覆层，得到镀覆后的金刚石粉末；
所述的复合镀覆层由外镀覆层和内镀覆层组成；所述的外镀覆层为纯铜镀覆层；所述的内镀覆层为碳化物镀覆层或金属单质镀覆层；
所述的碳化物镀覆层的厚度为100nm～500nm，所述的金属单质镀覆层的厚度为100nm～1μm；
所述的镀覆后的金刚石粉末中纯铜镀覆层的质量百分含量为20％～70％；
所述的金刚石粉末粒径为20μm～400μm；
二、混合：
将镀覆后的金刚石粉末与纯铜粉末机械混合均匀，得到混合后的粉末；
所述的镀覆后的金刚石粉末与纯铜粉末的体积比1:(0.1～3)；所述的纯铜粉末为粒径为2μm～6μm的纯铜粉或粒径为23μm～53μm的纯铜粉；
三、选区激光熔化：
在选区激光熔化设备中，控制氧气含量低于0.1％，先将基板预热至20℃～200℃，在激光功率为30w～500w、扫描速度为1mm/s～1500mm/s、光斑直径为0.05mm～1mm、基板温度为20℃～200℃及基板单次铺粉厚度为0.1mm～0.4mm的条件下，利用混合后的粉末进行激光成形，最后停止加热，待基板冷却完毕后，将成型的复合材料从基板上取下；
四、冷等静压技术：
将成型的复合材料置于包套内，抽真空至压力小于10pa，将包套后的复合材料置于冷等静压机内，在静水压力为50mpa～400mpa的条件下，保压2min～20min，去除包套，得到致密化的复合材料；
五、烧结：
将致密化的复合材料置于真空炉内，抽真空至压力小于1pa，在烧结温度为850℃～1100℃的条件下，保温0.5h～3h，得到烧结后的复合材料；
或将致密化的复合材料置于气氛炉内，在保护气氛、烧结温度为850℃～1100℃的条件下，保温0.5h～4h，得到烧结后的复合材料；
六、热等静压技术：
在热等静压温度为850℃～1050℃及热等静压压力为50mpa～200mpa的条件下，将烧结后的复合材料保温保压0.5h～4h，得到金刚石铜基复合材料。
一种增材制造工艺制备金刚石铜基复合材料的方法，它是按照以下步骤进行的：
一、制备镀覆后的金刚石粉末：
通过镀覆工艺在金刚石粉末表面镀覆复合镀覆层，得到镀覆后的金刚石粉末；
所述的复合镀覆层由外镀覆层和内镀覆层组成；所述的外镀覆层为纯铜镀覆层；所述的内镀覆层为碳化物镀覆层或金属单质镀覆层；
所述的碳化物镀覆层的厚度为100nm～500nm，所述的金属单质镀覆层的厚度为100nm～1μm；
所述的镀覆后的金刚石粉末中纯铜镀覆层的质量百分含量为20％～70％；
所述的金刚石粉末粒径为20μm～400μm；
二、混合：
将镀覆后的金刚石粉末与纯铜粉末机械混合均匀，得到混合后的粉末；
所述的纯铜粉末为粒径为23μm～53μm的纯铜粉末与粒径为2μm～6μm的纯铜粉末的混合物；
所述的镀覆后的金刚石粉末与粒径为23μm～53μm的纯铜粉末的体积比为1:(0.1～3)；所述的镀覆后的金刚石粉末与粒径为2μm～6μm的纯铜粉末的体积比1:(0.1～3)；
三、选区激光熔化：
在选区激光熔化设备中，控制氧气含量低于0.1％，先将基板预热至20℃～200℃，在激光功率为30w～500w、扫描速度为1mm/s～1500mm/s、光斑直径为0.05mm～1mm、基板温度为20℃～200℃及基板单次铺粉厚度为0.1mm～0.4mm的条件下，利用混合后的粉末进行激光成形，最后停止加热，待基板冷却完毕后，将成型的复合材料从基板上取下；
四、烧结：
将成型的复合材料置于真空炉内，抽真空至压力小于1pa，在烧结温度为850℃～1100℃的条件下，保温0.5h～3h，得到烧结后的复合材料；
或将成型的复合材料置于气氛炉内，在保护气氛、烧结温度为850℃～1100℃的条件下，保温0.5h～4h，得到烧结后的复合材料；
五、热等静压技术：
在热等静压温度为850℃～1050℃及热等静压压力为50mpa～200mpa的条件下，将烧结后的复合材料保温保压0.5h～4h，得到金刚石铜基复合材料。
本发明的有益效果是：本发明可以实现高热导率(480w/mk以上)，且相对密度大于98％的金刚石铜基复合材料复杂结构的成型。通过在金刚石表面的内镀覆层增强了基体与金刚石的界面结合力；而外层纯铜镀覆层实现了选区激光熔化烧结粘合，同时避免了金刚石增强体的团聚。后续的冷等静压与烧结技术实现了复合材料的进一步致密化，可以使原先内部通孔变为闭孔，为后续热等静压工艺做铺垫。而热等静压技术实现了材料的最终致密化，同时材料在高温高压的环境下金刚石与基体通过元素扩散作用形成了较强的界面结合。最终实现高热导率、高致密度的金刚石铜基复合材料复杂构件的成型。
本发明用于一种增材制造工艺制备金刚石铜基复合材料的方法。
具体实施方式
本发明技术方案不局限于以下所列举的具体实施方式，还包括各具体实施方式之间的任意组合。
具体实施方式一：本实施方式所述的一种增材制造工艺制备金刚石铜基复合材料的方法，它是按照以下步骤进行的：
一、制备镀覆后的金刚石粉末：
通过镀覆工艺在金刚石粉末表面镀覆复合镀覆层，得到镀覆后的金刚石粉末；
所述的复合镀覆层由外镀覆层和内镀覆层组成；所述的外镀覆层为纯铜镀覆层；所述的内镀覆层为碳化物镀覆层或金属单质镀覆层；
所述的碳化物镀覆层的厚度为100nm～500nm，所述的金属单质镀覆层的厚度为100nm～1μm；
所述的镀覆后的金刚石粉末中纯铜镀覆层的质量百分含量为20％～70％；
所述的金刚石粉末粒径为20μm～400μm；
二、混合：
将镀覆后的金刚石粉末与纯铜粉末机械混合均匀，得到混合后的粉末；
所述的镀覆后的金刚石粉末与纯铜粉末的体积比1:(0.1～3)；所述的纯铜粉末为粒径为2μm～6μm的纯铜粉或粒径为23μm～53μm的纯铜粉；
三、选区激光熔化：
在选区激光熔化设备中，控制氧气含量低于0.1％，先将基板预热至20℃～200℃，在激光功率为30w～500w、扫描速度为1mm/s～1500mm/s、光斑直径为0.05mm～1mm、基板温度为20℃～200℃及基板单次铺粉厚度为0.1mm～0.4mm的条件下，利用混合后的粉末进行激光成形，最后停止加热，待基板冷却完毕后，将成型的复合材料从基板上取下；
四、冷等静压技术：
将成型的复合材料置于包套内，抽真空至压力小于10pa，将包套后的复合材料置于冷等静压机内，在静水压力为50mpa～400mpa的条件下，保压2min～20min，去除包套，得到致密化的复合材料；
五、烧结：
将致密化的复合材料置于真空炉内，抽真空至压力小于1pa，在烧结温度为850℃～1100℃的条件下，保温0.5h～3h，得到烧结后的复合材料；
或将致密化的复合材料置于气氛炉内，在保护气氛、烧结温度为850℃～1100℃的条件下，保温0.5h～4h，得到烧结后的复合材料；
六、热等静压技术：
在热等静压温度为850℃～1050℃及热等静压压力为50mpa～200mpa的条件下，将烧结后的复合材料保温保压0.5h～4h，得到金刚石铜基复合材料。
本实施方式的有益效果是：
本实施方式可以实现高热导率(480w/mk以上)，且相对密度大于98％的金刚石铜基复合材料复杂结构的成型。通过在金刚石表面的内镀覆层增强了基体与金刚石的界面结合力；而外层纯铜镀覆层实现了选区激光熔化烧结粘合，同时避免了金刚石增强体的团聚。后续的冷等静压与烧结技术实现了复合材料的进一步致密化，可以使原先内部通孔变为闭孔，为后续热等静压工艺做铺垫。而热等静压技术实现了材料的最终致密化，同时材料在高温高压的环境下金刚石与基体通过元素扩散作用形成了较强的界面结合。最终实现高热导率、高致密度的金刚石铜基复合材料复杂构件的成型。
具体实施方式二：本实施方式与具体实施方式一不同的是：步骤一中所述的碳化物镀覆层为碳化钛、碳化钨、碳化锆、碳化硼、碳化铬或碳化钼；步骤一中所述的金属单质镀覆层为ti、w、zr、cr、mo、v或nb。其它与具体实施方式一相同。
具体实施方式三：本实施方式与具体实施方式一或二之一不同的是：步骤一中所述的镀覆工艺为物理气相沉积、化学气相沉积、化学镀覆、电镀或盐浴镀。其它与具体实施方式一或二相同。
具体实施方式四：本实施方式与具体实施方式一至三之一不同的是：步骤一中所述的金刚石粉末为单晶金刚石粉末；步骤三中所述的基板为纯铜板。其它与具体实施方式一至三相同。
具体实施方式五：本实施方式与具体实施方式一至四之一不同的是：步骤二中所述的机械混合均匀为行星球磨机混合30min～60min；步骤三中所述的激光成形具体是按以下步骤进行的：第一层扫描两个周期，之后每层扫描一个周期，层与层之间扫描方向为呈正交关系，扫描间距重叠率为0％～50％；步骤五中所述的保护气氛为惰性气体或还原性气体，所述的还原气体为氢气或甲烷。其它与具体实施方式一至四相同。
具体实施方式六：一种增材制造工艺制备金刚石铜基复合材料的方法，它是按照以下步骤进行的：
一、制备镀覆后的金刚石粉末：
通过镀覆工艺在金刚石粉末表面镀覆复合镀覆层，得到镀覆后的金刚石粉末；
所述的复合镀覆层由外镀覆层和内镀覆层组成；所述的外镀覆层为纯铜镀覆层；所述的内镀覆层为碳化物镀覆层或金属单质镀覆层；
所述的碳化物镀覆层的厚度为100nm～500nm，所述的金属单质镀覆层的厚度为100nm～1μm；
所述的镀覆后的金刚石粉末中纯铜镀覆层的质量百分含量为20％～70％；
所述的金刚石粉末粒径为20μm～400μm；
二、混合：
将镀覆后的金刚石粉末与纯铜粉末机械混合均匀，得到混合后的粉末；
所述的纯铜粉末为粒径为23μm～53μm的纯铜粉末与粒径为2μm～6μm的纯铜粉末的混合物；
所述的镀覆后的金刚石粉末与粒径为23μm～53μm的纯铜粉末的体积比为1:(0.1～3)；所述的镀覆后的金刚石粉末与粒径为2μm～6μm的纯铜粉末的体积比1:(0.1～3)；
三、选区激光熔化：
在选区激光熔化设备中，控制氧气含量低于0.1％，先将基板预热至20℃～200℃，在激光功率为30w～500w、扫描速度为1mm/s～1500mm/s、光斑直径为0.05mm～1mm、基板温度为20℃～200℃及基板单次铺粉厚度为0.1mm～0.4mm的条件下，利用混合后的粉末进行激光成形，最后停止加热，待基板冷却完毕后，将成型的复合材料从基板上取下；
四、烧结：
将成型的复合材料置于真空炉内，抽真空至压力小于1pa，在烧结温度为850℃～1100℃的条件下，保温0.5h～3h，得到烧结后的复合材料；
或将成型的复合材料置于气氛炉内，在保护气氛、烧结温度为850℃～1100℃的条件下，保温0.5h～4h，得到烧结后的复合材料；
五、热等静压技术：
在热等静压温度为850℃～1050℃及热等静压压力为50mpa～200mpa的条件下，将烧结后的复合材料保温保压0.5h～4h，得到金刚石铜基复合材料。
本实施方式的有益效果是：
本实施方式可以实现高热导率(480w/mk以上)，且相对密度大于98％的金刚石铜基复合材料复杂结构的成型。通过在金刚石表面的内镀覆层增强了基体与金刚石的界面结合力；而外层纯铜镀覆层实现了选区激光熔化烧结粘合，同时避免了金刚石增强体的团聚。热等静压技术实现了材料的最终致密化，同时材料在高温高压的环境下金刚石与基体通过元素扩散作用形成了较强的界面结合。最终实现高热导率、高致密度的金刚石铜基复合材料复杂构件的成型。
具体实施方式七：本实施方式与具体实施方式六不同的是：步骤一中所述的碳化物镀覆层为碳化钛、碳化钨、碳化锆、碳化硼、碳化铬或碳化钼；步骤一中所述的金属单质镀覆层为ti、w、zr、cr、mo、v或nb。其它与具体实施方式六相同。
具体实施方式八：本实施方式与具体实施方式六或七之一不同的是：步骤一中所述的镀覆工艺为物理气相沉积、化学气相沉积、化学镀覆、电镀或盐浴镀。其它与具体实施方式六或七相同。
当步骤一中所述的金属单质镀覆层为钨层时，所述的镀覆工艺为磁控溅射，具体是按以下步骤进行的：镀覆靶材为纯钨靶材，炉内温度为700℃～900℃，镀覆时间为10min～60min，然后将镀覆的金刚石放入真空炉内，在真空度低于0.1pa及温度为900℃～1100℃的条件下，保温0.5h～2h，得到镀覆内镀覆层的金刚石。
当步骤一中镀覆外镀覆层时，所述的镀覆工艺为化学镀覆，具体是按以下步骤进行的：
a、敏化：
将镀覆内镀覆层的金刚石置于敏化液内，搅拌5min～30min，然后取出，用去离子水清洗，得到敏化后的金刚石；
所述的敏化液由sncl2、质量百分数为37％的浓度hcl及h2o组成；所述的sncl2与质量百分数为37％的浓度hcl的质量比为1:(1.5～3)；所述的sncl2与h2o的质量比为1:(20～30)；
b、活化：
将敏化后的金刚石置于活化液内，搅拌5min～30min，然后取出，用去离子水清洗，得到活化后的金刚石；
所述的活化液由pdcl2及h2o组成；所述的pdcl2与h2o的质量比为1:(1000～5000)；
c、镀覆：
将活化后的金刚石置于镀覆液内，且每100ml镀覆液中加入1ml甲醛，搅拌10min～40min，然后取出超声清洗、称重；
所述的镀覆液为cuso4·h2o、edta二钠盐、酒石酸钾钠及h2o组成，且用naoh溶液调节ph至12～13；所述的cuso4·h2o与edta二钠盐的质量比为1:(0.8～1.2)；所述的cuso4·h2o与酒石酸钾钠的质量比为1:(0.8～1.2)；所述的cuso4·h2o与水的质量比为1:(70～150)。
若镀覆层增重未达到设计要求，则更换镀覆液后继续重复之前操作。
具体实施方式九：本实施方式与具体实施方式六至八之一不同的是：步骤一中所述的金刚石粉末为单晶金刚石粉末；步骤三中所述的基板为纯铜板。其它与具体实施方式六至八相同。
具体实施方式十：本实施方式与具体实施方式六至九之一不同的是：步骤二中所述的机械混合均匀为行星球磨机混合30min～60min；步骤三中所述的激光成形具体是按以下步骤进行的：第一层扫描两个周期，之后每层扫描一个周期，层与层之间扫描方向为呈正交关系，扫描间距重叠率为0％～50％；步骤四中所述的保护气氛为惰性气体或还原性气体，所述的还原气体为氢气或甲烷。其它与具体实施方式六至九相同。
采用以下实施例验证本发明的有益效果：
实施例一：
一种增材制造工艺制备金刚石铜基复合材料的方法，它是按照以下步骤进行的：
一、制备镀覆后的金刚石粉末：
通过镀覆工艺在金刚石表面镀覆复合镀覆层，得到镀覆后的金刚石粉末；
所述的复合镀覆层由外镀覆层和内镀覆层组成；
所述的外镀覆层为纯铜镀覆层；所述的内镀覆层为碳化物镀覆层；所述的碳化物镀覆层的厚度为200nm～500nm；
所述的镀覆后的金刚石粉末中纯铜镀覆层的质量百分含量为30％；
所述的金刚石粉末粒径为80μm；
二、混合：
将镀覆后的金刚石粉末与纯铜粉末机械混合均匀，得到混合后的粉末；
所述的镀覆后的金刚石粉末与纯铜粉末的体积比1:1；所述的纯铜粉末为粒径为23μm～53μm的纯铜粉；
三、选区激光熔化：
在选区激光熔化设备中，通入高纯氩气保证成形腔内氧含量低于0.1％，先将基板预热至200℃，在激光功率为30w、扫描速度为1500mm/s、光斑直径为0.075mm、基板温度为200℃及基板单次铺粉厚度为0.1mm的条件下，利用混合后的粉末按照设计的形状进行激光成形，最后停止加热，待基板冷却完毕后，将成型的复合材料从基板上取下；
四、冷等静压技术：
将成型的复合材料置于乳胶包套内，抽真空至压力为1pa，将包套后的复合材料置于冷等静压机内，在静水压力为250mpa的条件下，保压5min，泄压后取出，去除包套，得到致密化的复合材料；
五、烧结：
将致密化的复合材料置于真空炉内，并抽真空至压力小于1pa，在烧结温度为1000℃的条件下，保温2h，得到烧结后的复合材料；
六、热等静压技术：
在热等静压温度为1000℃及热等静压压力为120mpa的条件下，将烧结后的复合材料保温保压2h，得到金刚石铜基复合材料。
步骤一中所述的碳化物镀覆层为碳化钛。
当镀覆内镀覆层时，所述的镀覆工艺为盐浴镀，具体是按以下步骤进行的：先将金刚石粉末、钛粉、nacl、kcl按照质量比1:1:1:1.2混合，然后在温度为900℃的条件下，保温1h，待温度冷却后取出，用去离子水洗净，得到碳化钛镀覆的金刚石；
当镀覆外镀覆层时，所述的镀覆工艺为化学镀覆，具体是按以下步骤进行的：
a、敏化：
将镀覆内镀覆层的金刚石置于敏化液内，搅拌15min，然后取出，用去离子水清洗，得到敏化后的金刚石；
所述的敏化液由sncl2、质量百分数为37％的浓度hcl及h2o组成；所述的sncl2与质量百分数为37％的浓度hcl的质量比为1:2；所述的sncl2与h2o的质量比为1:25；
b、活化：
将敏化后的金刚石置于活化液内，搅拌20min，然后取出，用去离子水清洗，得到活化后的金刚石；
所述的活化液由pdcl2及h2o组成；所述的pdcl2与h2o的质量比为1:3000；
c、镀覆：
将活化后的金刚石置于镀覆液内，且每100ml镀覆液中加入1ml甲醛，搅拌30min，然后取出超声清洗、称重；
所述的镀覆液为cuso4·h2o、edta二钠盐、酒石酸钾钠及h2o，且用naoh溶液调节ph至12；所述的cuso4·h2o与edta二钠盐的质量比为1:1；所述的cuso4·h2o与酒石酸钾钠的质量比为1:1；所述的cuso4·h2o与水的质量比为1:100；
若镀覆层增重未达到设计要求，则更换镀覆液后继续重复之前操作。
步骤一中所述的金刚石粉末为单晶金刚石粉末。
步骤三中所述的基板为纯铜板。
步骤二中所述的机械混合均匀为行星球磨机混合30min。
步骤三中按照设计的形状进行激光成形具体是按以下步骤进行的：第一层扫描两个周期，之后每层扫描一个周期，层与层之间扫描方向为呈正交关系，扫描间距重叠率为50％，得到4×10×10mm的块体。
实施例一制备的金刚石铜基复合材料的致密度为99.2％，热导率为482w/mk。
实施例二：
一种增材制造工艺制备金刚石铜基复合材料的方法，它是按照以下步骤进行的：
一、制备镀覆后的金刚石粉末：
通过镀覆工艺在金刚石表面镀覆复合镀覆层，得到镀覆后的金刚石粉末；
所述的复合镀覆层由外镀覆层和内镀覆层组成；
所述的外镀覆层为纯铜镀覆层；所述的内镀覆层为金属单质镀覆层；
所述的金属单质镀覆层的厚度为0.2μm～0.5μm；
所述的镀覆后的金刚石粉末中纯铜镀覆层的质量百分含量为40％；
所述的金刚石粉末粒径为200μm；
二、混合：
将镀覆后的金刚石粉末与纯铜粉末机械混合均匀，得到混合后的粉末；
所述的纯铜粉末为粒径为23μm～53μm的纯铜粉末与粒径为2μm～6μm的纯铜粉末的混合物；
所述的镀覆后的金刚石粉末与粒径为23μm～53μm的纯铜粉末的体积比为7:2；所述的镀覆后的金刚石粉末与粒径为2μm～6μm的纯铜粉末的体积比7:1；
三、选区激光熔化：
在选区激光熔化设备中，通入高纯氩气保证成形腔内氧含量低于0.1％，先将基板预热至200℃，在激光功率为100w、扫描速度为1500mm/s、光斑直径为0.075mm、基板温度为200℃及基板单次铺粉厚度为0.22mm的条件下，利用混合后的粉末按照设计的形状进行激光成形，最后停止加热，待基板冷却完毕后，将成型的复合材料从基板上取下；
四、烧结：
将成型的复合材料置于真空炉内，抽真空至压力小于1pa，在烧结温度为1040℃的条件下，保温4h，得到烧结后的复合材料；
五、热等静压技术：
在热等静压温度为1050℃及热等静压压力为170mpa的条件下，将烧结后的复合材料保温保压2h，得到金刚石铜基复合材料。
步骤一中所述的金属单质镀覆层为钨层。
当镀覆内镀覆层时，所述的镀覆工艺为磁控溅射，具体是按以下步骤进行的：镀覆靶材为纯钨靶材，炉内温度为800℃，镀覆时间为40min，然后将镀覆的金刚石放入真空炉内，在真空度低于0.1pa及温度为1000℃的条件下，保温30min。
当镀覆外镀覆层时，所述的镀覆工艺为化学镀覆，具体是按以下步骤进行的：
将镀覆内镀覆层的金刚石置于敏化液内，搅拌15min，然后取出，用去离子水清洗，得到敏化后的金刚石；
所述的敏化液由sncl2、质量百分数为37％的浓度hcl及h2o组成；所述的sncl2与质量百分数为37％的浓度hcl的质量比为1:2；所述的sncl2与h2o的质量比为1:25；
b、活化：
将敏化后的金刚石置于活化液内，搅拌20min，然后取出，用去离子水清洗，得到活化后的金刚石；
所述的活化液由pdcl2及h2o组成；所述的pdcl2与h2o的质量比为1:3000；
c、镀覆：
将活化后的金刚石置于镀覆液内，且每100ml镀覆液中加入1ml甲醛，搅拌30min，然后取出超声清洗、称重；
所述的镀覆液为cuso4·h2o、edta二钠盐、酒石酸钾钠及h2o，且用naoh溶液调节ph至12；所述的cuso4·h2o与edta二钠盐的质量比为1:1；所述的cuso4·h2o与酒石酸钾钠的质量比为1:1；所述的cuso4·h2o与水的质量比为1:100；
若镀覆层增重未达到设计要求，则更换镀覆液后继续重复之前操作。
步骤一中所述的金刚石粉末为单晶金刚石粉末。
步骤三中所述的基板为纯铜板。
步骤二中所述的机械混合均匀为行星球磨机混合60min。
步骤三中按照设计的形状进行激光成形具体是按以下步骤进行的：第一层扫描两个周期，之后每层扫描一个周期，层与层之间扫描方向为呈正交关系，扫描间距重叠率为50％，得到4×10×10mm的块体。
实施例一制备的金刚石铜基复合材料的致密度为98.6％，热导率为673w/mk。